Al diseñar una celda solar es importante realizar él calculo del campo eléctrico interno (Zona de agotamiento, y potencial eléctrico interno (Vbi)) de la interface principal. Esta zona esta ubicada donde se juntan los dos semiconductores que forman la heterounión np. Como ejemplo particular formaremos la heterounión de una celda solar entre sulfuro de antimonio plata (AgSbS2, tipo-p) y sulfuro de cadmio (CdS, tipo-n). Acompañame a revisar cuales son las ecuaciones que describen el Vbi tanto para una celda solar de heterounión como para una de homounión. https://www.youtube.com/watch?v=fAKLOmhhn6I Webinar en grupo de trabajo CIDS-BUAP durante estancia posdoctoral-conacyt, Asesor. Dr. Roman…