Al diseñar una celda solar es importante realizar él calculo del campo eléctrico interno (Zona de agotamiento, y potencial eléctrico interno (Vbi)) de la interface principal. Esta zona esta ubicada donde se juntan los dos semiconductores que forman la heterounión np. Como ejemplo particular formaremos la heterounión de una celda solar entre sulfuro de antimonio plata (AgSbS2, tipo-p) y sulfuro de cadmio (CdS, tipo-n).
Acompañame a revisar cuales son las ecuaciones que describen el Vbi tanto para una celda solar de heterounión como para una de homounión.
Es de suma importancia calcular el potencial interno de la celda solar antes de fabricar y/o simular la heterounión ya que debemos escoger el par de materiales que nos permitan obtener potenciales eléctricos interno de celda solar que superen el valor de Voc de las celdas solares comerciales (Vbi > 750 mv (silicio)) , (Vbi > 1100 mV (Perovskita)).
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