Intrinsic carrier concentration vs. temperature (Table)
¿Por qué es importante conocer la variación de portadores de carga intrinsecos (ni) en función de la temperatura (T)?
La concentración intrínseca de portadores de carga en el silicio aumenta con el incremento de la temperatura (T). Esto significa que a temperaturas más altas, hay más portadores de carga intrinsecos en el material, lo que puede afectar la conductividad eléctrica de los dispositivos semiconductores.
Por ejemplo, la resistividad del silicio intrínseco disminuye a medida que la temperatura aumenta debido al aumento de la concentración intrínseca de portadores de carga, lo que puede afectar la velocidad y el rendimiento de los dispositivos. Además, la variación de la concentración intrínseca con la temperatura también es un factor importante en la caracterización y diseño de dispositivos semiconductores, ya que puede afectar los niveles de voltaje y corriente necesarios para su funcionamiento óptimo.
En resumen, la variación de la concentración intrínseca de portadores de carga con la temperatura es importante para comprender y diseñar dispositivos semiconductores que funcionen correctamente en una amplia gama de temperaturas.
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Bibliography
[1] S.M. Sze, K.K. Ng, Physics of semiconductor devices, 3rd ed, Wiley-Interscience, Hoboken, N.J, 2007.