Resistivity vs impurity concentration
La figura muestra la variación de la resistividad (
) del silicio (Si) en función de la concentración de impurezas (
) a 300 K. A medida que aumenta la concentración de dopantes (ya sean de tipo-n o tipo-p), la resistividad disminuye de manera significativa, lo cual se debe a que la conductividad mejora con un mayor número de portadores de carga.
Además, se observa que para un mismo nivel de dopado, el silicio tipo-n presenta una resistividad ligeramente menor que el tipo-p, debido a que los electrones (portadores mayoritarios en tipo-n) tienen mayor movilidad que los huecos (portadores mayoritarios en tipo-p).
Nota:
Esta relación entre dopado y resistividad es fundamental para el diseño y optimización de dispositivos semiconductores.
Activity – Clase
Obtener la conductividad eléctrica [𝛺-1 cm-1] de tres obleas de silicio que han sido impurificadas de forma homogénea con 1012, 1014 y 1016 atomos de fosforo por cm-3 . (T = 300 K )
- Oblea 1:
- Oblea 2:
- Oblea 3:
Oblea 1: Para Nn= 10^12 cm^-3; σ= 2.4×10^-4 Ω^-1 cm^-1
Oblea 2: Para Nn= 10^14 cm^-3; σ=2.4×10^-2 Ω^-1 cm^-1
Oblea 3: Para Nn= 10^16 cm^-3; σ=2.4 Ω^-1 cm^-1