Mobility as function of doping concentration (T=300K)
- En condiciones de baja concentración de impurezas, la movilidad alcanza un valor máximo, el cual está limitado principalmente por la dispersión por la red (lattice scattering), es decir, por las vibraciones térmicas de los átomos del cristal.
- A medida que se incrementa la concentración de impurezas, se intensifica la dispersión por impurezas, que desvía a los portadores y reduce su movilidad.
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¿Por que la movilidad de los electrones es mayor que la movilidad de los huecos ?
La principal razón es que en la mayoría de los semiconductores, los electrones tienen una masa efectiva menor que los huecos. Esto significa que, al aplicarse un campo eléctrico, los electrones pueden acelerarse más rápidamente y con menos resistencia interna que los huecos.
Excelente respuesta !!
Para sustentar tu respuesta, no olvides colocar los valores de
y 
del semiconductor que pones como ejemplo.
Ademas, agrega una referencia bibliografica.
La principal razón es que en la mayoría de los semiconductores, los electrones tienen una masa efectiva menor que los huecos. Esto significa que, al aplicarse un campo eléctrico, los electrones pueden acelerarse más rápidamente y con menos resistencia interna que los huecos.
Sze, S.M. (2006). Physics of Semiconductor Devices (3ª ed.). Wiley.
En el caso del Silicio, la mn es aprox 0.19 m0; y la mp es aprox 0.55 m0.