La movilidad de los electrones en semiconductores, como el silicio, depende directamente del tiempo medio entre colisiones, el cual es afectado por dos mecanismos principales de dispersión:

Dispersión por la red (Lattice Scattering):

Este mecanismo se origina en las vibraciones térmicas de los átomos del material. A cualquier temperatura por encima del cero absoluto, estas vibraciones perturban el potencial periódico del cristal, provocando colisiones entre los electrones y la red. A medida que aumenta la temperatura, las vibraciones se intensifican, lo que incrementa la frecuencia de las colisiones y, en consecuencia, reduce la movilidad.

• Teóricamente, la movilidad limitada por la dispersión por la red disminuye en proporción a .

Dispersión por impurezas (Impurity Scattering):

Este mecanismo ocurre cuando los electrones se desvían al pasar cerca de átomos dopantes ionizados (Donadores o Aceptores). La probabilidad de estas colisiones depende de la concentración total de impurezas ionizadas. En muestras fuertemente dopadas, la dispersión por impurezas es muy relevante, especialmente a bajas temperaturas, ya que los electrones se mueven relativamente más despacio y permanecen más tiempo cerca de las impurezas.

Ecuaciones:

   

Por lo tanto depende de la dispersión de la red y de las impuresas: