Intrinsic carrier density (n_i)
La densidad de portadores intrínsecos representa la concentración de electrones en la banda de conducción y huecos en la banda de valencia en un semiconductor intrínseco en equilibrio térmico. Este parametro depende de la temperatura (T), la densidad de estados efectica (Nc y Nv) y el band gap del semiconductor (Eg).
- Dado que la exponencial tiene un término negativo proporcional a
, cuando la temperatura aumenta,
también aumenta, ya que más electrones tienen la energía térmica necesaria para cruzar el band gap y llegar a la banda de conducción.
Para encontrar la expreción debemos utilizar la ley de acción de masas donde
Por lo tanto:
Al despejar lograras obtener la siguiente expresión:
donde
y por lo tanto
¿Por que es importante conocer el valor de ni para los procesos de conducción eléctrica en semiconductores?
- Define el límite inferior de la conductividad en materiales semiconductores: En ausencia de impurezas, la corriente eléctrica es transportada únicamente por los portadores intrínsecos (
). Materiales con menor
serán peores conductores eléctricos en estado puro.
- Es clave en el análisis de semiconductores dopados: En semiconductores tipo n o p , la densidad de portadores extrínsecos se relaciona con
mediante la ley del producto de masas
. Esto permite determinar la concentración de portadores minoritarios en dispositivos semiconductores.
- Permite entender el efecto de la temperatura en dispositivos electrónicos: A temperaturas elevadas,
crece exponencialmente, lo que puede causar el fallo de transistores y circuitos integrados debido a la conducción no controlada.
Actividad: Realiza el procedimiento para obtener la expreción de ni en tu cuaderno
- Revisar el proceso del alumno en su cuaderno