Así como los electrones en la banda de conducción son responsables del transporte de carga negativa en los semiconductores, los huecos en la banda de valencia actúan como portadores de carga positiva, contribuyendo a la conducción eléctrica en dispositivos semiconductores como transistores, diodos y celdas solares.

La siguiente ecuación describe la densidad de huecos [cm^-3] en la banda de valencia de un semiconductor en función de la temperatura (), la masa efectiva de los huecos (), y la posición relativa del nivel de Fermi () con respecto al borde de la banda de valencia ():

donde  es la densidad efectiva de estados en la banda de valencia, la cual define el número de estados disponibles por unidad de volumen en dicha banda que pueden ser ocupados por huecos.

Donde:

•  es la masa efectiva del hueco en el material semiconductor, que representa el comportamiento dinámico del hueco bajo la influencia del potencial periódico del cristal.
•   es la constante de Boltzmann, que relaciona la temperatura con la energía térmica.
•  es la temperatura absoluta en Kelvin.
•  es la constante de Planck, que representa la cuantización de la energía en mecánica cuántica.