El Efecto Hall es un fenómeno físico fundamental en semiconductores que permite medir directamente la concentración y el tipo de portadores de carga en un semiconductor. Este fenomeno es una evidencia experimental de la existencia de huecos como portadores de carga en semiconductores tipo p.

• En la figura, se muestra un semiconductor con un campo eléctrico    aplicado a lo largo del eje   , lo que genera un flujo de corriente en esa dirección. Al mismo tiempo, se aplica un campo magnético    en la dirección   , lo que da lugar a la aparición de la fuerza de Lorentz sobre los portadores de carga.
• En el caso de un material tipo p, los huecos que se desplazan en la dirección    experimentan una desviación hacia la parte superior del semiconductor debido a la acción de la fuerza de Lorentz:

• La acumulación de cargas genera un campo eléctrico transversal    en la dirección   , el cual se conoce como el campo de Hall. En el estado estacionario, este campo eléctrico equilibra la fuerza de Lorentz, dando lugar a la siguiente relación:

• La diferencia de potencial generada en la dirección transversal es el voltaje de Hall   , que se expresa como:

donde    es el espesor del semiconductor en la dirección   . A partir de la medición de   , junto con el campo magnético y la corriente aplicada, es posible determinar la concentración y el tipo de portador de carga.

Actividad en clase

• Deducir el coeficiente Hall (+ huecos, – electrones)
• Deducir ecuación para determinar la concentración de portadores de carga