Fermi level for a intrinsic semiconductor
El nivel de Fermi en un semiconductor intrínseco está ubicado aproximadamente en el centro del band gap (
) , pero puede desplazarse ligeramente dependiendo de la relación entre 
y 
, la cual depende de las masas efectivas de los electrones y huecos en el material.
Para obtener esta exprección debemos igual 
y despejar el valor de 
![\[N_c e^{-\frac{(E_c - E_f)}{k_B T}} = N_v e^{-\frac{(E_f - E_v)}{k_B T}}\]](https://jesuscapistran.com/wp-content/ql-cache/quicklatex.com-4d0a5554d04a0c61558fc3c0faa665b2_l3.svg "Rendered by QuickLaTeX.com")
El nivel de Fermi en un semiconductor intrínseco está dado por:
![\[E_f = \frac{E_c + E_v}{2} + \frac{k_B T}{2} \ln \left( \frac{N_v}{N_c} \right)\]](https://jesuscapistran.com/wp-content/ql-cache/quicklatex.com-d1167e8c07841e665c2b6279af728bd6_l3.svg "Rendered by QuickLaTeX.com")
Actividad
- Realizar la operación indicada n = p y despeja el valor de Ef en tu cauderno (salon de clase).