Los efectos de los estado trampa en las propiedades eléctricas de los semiconductores orgánicos son significativos y se pueden resumir de la siguiente manera:

1. Baja conductividad: Las trampas pueden atrapar portadores de carga, lo que resulta en una disminución de la conductividad del material.
2. Activación térmica de la corriente: La corriente puede depender de la temperatura, donde el aumento de la energía térmica facilita la liberación de portadores atrapados.
3. Efectos transitorios de larga duración: En materiales con una densidad de estados (DOS) distribuida exponencialmente, se esperan transitorios de ley de potencias bajo un sesgo constante. Esto significa que la respuesta del dispositivo puede cambiar con el tiempo de manera compleja y no lineal.
4. Transitorios anómalos en tiempo de vuelo (ToF): Las trampas pueden causar efectos transitorios inesperados en las mediciones de tiempo de vuelo, complicando aún más la caracterización de los dispositivos.
5. Diagrama de Mott-Schottky no constante: En condiciones de admisión, el comportamiento esperado en un diagrama de Mott-Schottky puede no ser constante, lo que dificulta la caracterización de la concentración de aceptores en el material.