Direct recombination ( Direct band semiconductor)
Recombinación directa (band-to-band)
Suele ser dominante en semiconductores de banda prohibida directa, como el arseniuro de galio (GaAs). En estos materiales, el máximo de la banda de valencia y el mínimo de la banda de conducción ocurren aproximadamente en el mismo vector de onda, facilitando que la energía se libere directamente en forma de fotón.
: Tasa de generación de pares eléctron-hueco [cm-3/s]
: Tasa de recombinación de pares electron-hueco [cm-3/s]
Equilibrio térmico (Semiconductor tipo-n)
Para mantener la relación 
las tasas de generación y recombinación son iguales
![\[G_{th} = R_{th}\]](https://jesuscapistran.com/wp-content/ql-cache/quicklatex.com-2500ef6f770bd6a9c09d8e19d87e4ac5_l3.svg "Rendered by QuickLaTeX.com")
Por lo tando definimos la tasa de recombinación directa (en equilibrio thermico) como:
![\[R = \beta np\]](https://jesuscapistran.com/wp-content/ql-cache/quicklatex.com-56646e0ca0512270675b874e0b1b6027_l3.svg "Rendered by QuickLaTeX.com")
![\[G_{th} = R_{th} = \beta n_{no}p_{no}\]](https://jesuscapistran.com/wp-content/ql-cache/quicklatex.com-a9c209e84860fdddecf4f240ea605db0_l3.svg "Rendered by QuickLaTeX.com")
son los portadores mayoritarios en equilibrio termico
son los portadores minoritarios en equilibrio termico. 
es una constante de proporcionalidad.
no-equilibrio (Bajo iluminación, semiconductor tipo-n)
es la tasa de generación de pares electron hueco [cm-3/s]
Por lo tanto, la tasa de generación de pares electrón-hueco es:
![\[G = G_{L} + G_{th}\]](https://jesuscapistran.com/wp-content/ql-cache/quicklatex.com-0c77d46aaeceb5d0d0cb0f59a012b1d0_l3.svg "Rendered by QuickLaTeX.com")
Y la tasa de recombinación directa queda de la siguiente manera:
![\[R = \beta(n_{no}+ \Delta n)(p_{n_o}+\Delta p)\]](https://jesuscapistran.com/wp-content/ql-cache/quicklatex.com-cf799a33bd8b27c01e102af5825cdde5_l3.svg "Rendered by QuickLaTeX.com")
Donde:
